講演情報
[7p-N101-6]脱炭素社会実現に貢献するSiC半導体の現在と将来
〇木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大工)
キーワード：
ワイドギャップ半導体、SiC、パワーデバイス
SiC半導体の結晶およびデバイス技術の進展により，SiCパワーデバイス(MOSFET, ショットキー障壁ダイオード)の実用化が急速に進展し，各種機器で顕著な省エネ効果が示されている．しかしながら，SiCパワーデバイスには依然として学術的に重要な課題が山積している．また，SiC半導体をパワー半導体以外の応用に適用するための基礎研究も活況を呈している．本講演では，SiCパワーデバイスの進展を概説した後，SiC半導体の将来展望と課題について述べる．