講演情報
[7p-N304-15]ZrO2高誘電率ゲート絶縁膜を用いた有機3値論理回路の低駆動電圧化
〇関口 遥花1,2、早川 竜馬1、野口 裕2、若山 裕1 (1.物材機構、2.明治大)
キーワード：
有機アンチ・アンバイポーラトランジスタ、3値論理回路、負性微分トランスコンダクタンス
IoT技術の進展に伴い、有機演算素子の高性能化と低消費電力化が求められている。本研究では負性微分トランスコンダクタンス（NDT）を示す有機アンチ・アンバイポーラトランジスタ（AAT）に着目し、ZrO2を高誘電率ゲート絶縁膜として用いることで3値論理回路の駆動電圧低減を試みた。本講演では、ZrO2使用時にNDT領域が拡大し、1.5 Vの低電圧動作下で中間論理値が明瞭に観測された結果について報告する。