講演情報
[8a-N305-1]AgGaTe2薄膜の膜厚増加に向けたGa昇華量の増加方法の検討
〇(M2)佐々木 達也1、小林 正和1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)
キーワード：
太陽電池、カルコパイライト、近接昇華法
近接昇華法によってAgGaTe2薄膜を作製し、太陽電池に使用している。AgGaTe2薄膜の膜厚増加に向け、近接昇華法におけるGaの昇華量を増加させる方法について検討を行った。ソース原料を昇華させる前に事前加熱を行い原料の温度を昇華温度に近づけてから昇温したことでGaの昇華量が増加した。それにより、ストイキオメトリに近い状態の元素構成比であるAgGaTe2薄膜の膜厚を増加させることができた。