[8a-P04-1~8] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

[8a-P04-5] シリコンフォトニクス応用に向けたSiN_x堆積膜の物性比較

〇(M1)久保 主瑳¹、岡垣 颯¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：

窒化シリコン、堆積条件、対称性の破れ

SiN_x導波路は二格子吸収が発生しない特長があり非線形光学デバイスへ展開されている。堆積膜は非晶質であるが、外部電界による対称性の破れによって電気光学（EO/Pockels）効果が現れるという報告がある。ひずみによる対称性の破れによってEO効果が発生する可能性もある。SiN_x膜は堆積条件によって、線形屈折率、密度、内蔵応力といった物性が変化する。EO効果の最大化を試みる第一ステップとして、本研究では堆積手法や堆積条件の異なるSiN_x膜に対する物性比較を行った。