[8a-P08-1~3] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[8a-P08-1] サファイア基板上Mg3Bi2薄膜の結晶構造における基板方位の影響

〇根城 虹希¹、鮎川 瞭仁¹、栗山 武琉¹、切通 望¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大)

キーワード：

エピタキシャル成長、極点図、熱電

熱電材料Mg₃Bi₂薄膜を異なる面方位のサファイア基板上にMBE法で作製し、構造評価を行った。RHEEDやXRDより両基板上でエピタキシャル成長し、c軸方向の歪みはほぼないことを確認。極点測定から基板に応じた対称性の違いを示し、エピタキシャル関係を明らかにした。