[8p-N105-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:30 〜 14:45

[8p-N105-5] 斜方晶ITOの薄膜安定化

〇山田 浩之¹、豊崎 喜精¹、澤 彰仁¹ (1.産総研)

キーワード：

エビタキシャル成長、ITO、構造多形

ITO （またはIn₂O₃）の最安定相は、立方晶のBixbyite型構造である。準安定相として、菱面体晶のCorundum型構造も知られているが、研究例は少ない。我々は、もう一つのPolytypeで、高移動度が理論予測されながら、高圧科学以外では殆ど知られていないRh₂O₃(II)型斜方晶構造 (空間群Pbna)に着目し、そのEpitaxial ITO (o-ITO)薄膜の作製、および電子伝導特性の評価に世界で初めて成功したので報告する。Si基板上での作製についても手掛かりが得られており、ワイドギャップ酸化物半導体デバイス開発への貢献が期待される。