セッション詳細
[8p-N105-1~8]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2025年9月8日(月) 13:30 〜 15:30
N105 (共通講義棟北)
[8p-N105-1]AlOx/SiCヘテロ接合における不揮発性抵抗変化メモリ特性と界面構造解析
〇鄭 雨萌1、馬場 智大1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
[8p-N105-2]ミストCVD において高品質なAlOx 薄膜を350ºC で形成できる機構Ⅰ
〇川原村 敏幸1、福江 雅1、刘 丽1、ダン タイ ジャン1、藤村 俊伸2 (1.高知工大、2.日油(株))
[8p-N105-3]ミストCVDにおいて高品質なAlOx薄膜を350ºCで形成できる機構Ⅱ
〇川原村 敏幸1、福江 雅1、刘 丽1、ダン タイ ジャン1、伊藤 亮孝1、藤村 俊伸2 (1.高知工大、2.日油(株))
[8p-N105-4]Mist-CVD法を用いた、酸化物半導体薄膜の作製とトランジスタ性能の向上2
〇江波戸 慶吾1、清水 耕作1 (1.日本大学)
[8p-N105-5]斜方晶ITOの薄膜安定化
〇山田 浩之1、豊崎 喜精1、澤 彰仁1 (1.産総研)
[8p-N105-6]ミストCVDを用いた金属酸化物半導体の作製と評価
〇濱田 薫1、一戸 善弘1 (1.北科大院工電電)
[8p-N105-7]アニール雰囲気がN添加ZnO膜の特性に及ぼす影響
〇山田 祐美加1,2、大森 陽生2、ハク アブラウル2、舩木 修平2、山田 容士2 (1.コベルコ科研、2.島根大自然)
[8p-N105-8]極薄膜 W 添加 In2O3 薄膜におけるキャリア輸送
〇山本 哲也1、北見 尚久2、岡田 悠悟2 (1.高知工科大総研、2.住友重機)