セッション詳細
[8p-N105-1~8]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2025年9月8日(月) 13:30 〜 15:30
N105 (共通講義棟北)
山田 容士(島根大)
[8p-N105-2]ミストCVD において高品質なAlOx 薄膜を350ºC で形成できる機構Ⅰ
〇川原村 敏幸1、福江 雅1、刘 丽1、ダン タイ ジャン1、藤村 俊伸2 (1.高知工大、2.日油(株))
[8p-N105-3]ミストCVDにおいて高品質なAlOx薄膜を350ºCで形成できる機構Ⅱ
〇川原村 敏幸1、福江 雅1、刘 丽1、ダン タイ ジャン1、伊藤 亮孝1、藤村 俊伸2 (1.高知工大、2.日油(株))
[8p-N105-7]アニール雰囲気がN添加ZnO膜の特性に及ぼす影響
〇山田 祐美加1,2、大森 陽生2、ハク アブラウル2、舩木 修平2、山田 容士2 (1.コベルコ科研、2.島根大自然)