講演情報
[8p-N301-19]GaN系面発光レーザの発光径によるレーザ特性への影響
〇柴原 直暉1、荒川 将輝1、禿子 温教1、北村 太希1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大理工)
キーワード：
面発光レーザ、発光径、電力変換効率
GaN系VCSELの高効率化を目的に、発光径3〜5 µmの素子を作製し、WPEへの影響を評価した。室温連続波動作において、発光径4 µmの素子で最大WPE 27%を達成した。小径化によりしきい値電流は低下したが、3 µmでは駆動電圧の上昇やスロープ効率の低下によりWPEが減少した。これらの結果から、高効率動作には発光径の最適化が重要であり、今後さらなる損失解析を進める予定である。