セッション詳細

[8p-N301-1~19]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年9月8日(月) 13:30 〜 18:45
N301 (共通講義棟北)

[8p-N301-1]Niマスクを用いたナノテンプレート選択成長法によるInGaNナノコラムの直接成長

〇石川 慧1、富山 望1、富樫 理恵1、岸野 克巳1 (1.上智大理工)

[8p-N301-2]プラズモニック結晶応用を目指したNiマスクナノテンプレート選択成長法によるハニカム格子InGaN/GaNナノコラムの作製

〇富山 望1、石川 慧1、富樫 理恵1、岸野 克巳1 (1.上智大理工)

[8p-N301-3]下地GaNナノコラムの高さがGaInN選択成長へ与える影響

〇加藤木 巧斗1、進藤 隆太1、梅本 匠1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.工学院大学、2.上智大学)

[8p-N301-4]機械学習を用いたGaN系トポロジカルPhCのバンドギャップ予測

〇杉浦 雛姫1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研)

[8p-N301-5]InGaN/GaN系トポロジカルPhC共振器構造における共振ピークの観測

〇倉田 隼也斗1、杉浦 雛姫1、片岡 生一1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研)

[8p-N301-6]光学特性向上を目的としたPorous AlGaN DBR上への赤色GaInN系量子殻のエピタキシャル成長

〇中川 碧1、Weifang Lu2、堀田 陽生1、高橋 拓也1、山田 航己1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.厦門大学)

[8p-N301-7]フェースダウン式MOVPE装置によるn-GaNナノワイヤ成長の最適化

〇(M1)山田 航己1、石本 聖治2、深水 直斗1、中川 碧1、堀田 陽生1、高橋 拓也1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.(株)E&Eエボリューション)

[8p-N301-8]ナノワイヤ構造を用いた量子殻デバイスにおけるp+-GaN成長時のMg濃度依存性の検討

〇高橋 拓也1、丹羽 一将2、中川 碧1、山田 航己1、堀田 陽生1、深水 直斗1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.(株)E&Eエボリューション)

[8p-N301-9]GaInN nano pyramid LEDのオーミック電極に関する検討

〇堀田 陽生1、中川 碧1、高橋 拓也1、山田 航己1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)

[8p-N301-10]コアシェル型InGaNナノワイヤLEDのキャリアダイナミクス評価

〇小見山 颯太1、市川 修平1,2、奥田 廉士3、上田 雅也3、曽根 直樹3、野村 明宏3、上山 智4、田畑 博史1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター、3.小糸製作所、4.名城大理工)

[8p-N301-11]HEATE法で作製したInGaN系キラル型ナノピラーアレイからの青色円偏光発生

〇漆畑 友優1、植木 拓海2、菊池 昭彦2,3、大音 隆男1 (1.山形大院理工、2.上智大理工、3.上智大半導体研)

[8p-N301-12]緑色発光InGaN/GaNナノピラーの発光効率とキャリアダイナミクス

〇横澤 光1、小菅 駿也1、相川 健喜2、倉邊 海史2、菊池 昭彦2,3、大音 隆男1 (1.山形大院理工、2.上智大理工、3.上智大半導体研)

[8p-N301-13]ナノコラム側面での表面プラズモンポラリトン結合を用いた
ハニカム格子InGaN/GaNナノコラムトップからの赤色発光増強

〇小関 恭平1、大塚 拓登1、山田 純平2,3、岡本 晃一5、富樫 理恵3,4、岸野 克巳3、大音 隆男1 (1.山形大院理工、2.慶應大理工、3.上智大ナノテク、4.上智大理工、5.阪公大院工)

[8p-N301-14]サファイア基板上にCVD成長させた層状BN薄膜の陰極線蛍光評価

〇秩父 重英1、粕谷 拓生1、辻谷 陽仁1、原 和彦2、嶋 紘平1 (1.東北大多元研、2.静大電子研)

[8p-N301-15]歪補償AlGaN/InGaN ブラッグ反射鏡

〇川島 毅士1、上西 盛聖1、木村 千春1、佐藤 俊一1 (1.リコー)

[8p-N301-16]AlInN/GaN DBR上GaInN量子井戸活性層の発光ピーク波長制御

〇荒川 将輝1、柴原 直暉1、北村 太希1、禿子 温教1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)

[8p-N301-17]VCSEL共振波長の面内均一化に向けた成長条件の検討

〇北村 太希1、荒川 将輝1、柴原 直暉1、禿子 温教1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)

[8p-N301-18]GaN面発光レーザーの高効率化に向けた素子抵抗の低減

〇禿子 温教1、柴原 直暉1、荒川 将輝1、北村 太希1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)

[8p-N301-19]GaN系面発光レーザの発光径によるレーザ特性への影響

〇柴原 直暉1、荒川 将輝1、禿子 温教1、北村 太希1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大理工)