講演情報
[8p-N302-1]ファンデルワールス磁性半金属における室温ゼロ磁場トポロジカルホール効果の観測
〇松岡 秀樹1,2、梶原 駿3、遠藤 幹大3、王 越3、岩佐 義宏1,3、中野 匡規1,3,4 (1.理研CEMS、2.東大生産研、3.東大工、4.芝浦工大)
キーワード：
ファンデルワールス磁性体、分子線エピタキシー法、トポロジカルホール効果
磁気スキルミオンに代表されるトポロジカル磁気構造は、スピントロニクス応用の観点から注目されており、特にトポロジカルホール効果（THE）はその電気的検出に有用である。その中で、多くの物質系ではTHEの実現に外部磁場が不可欠である一方、本研究ではMBE法で作製したCr₃Te₄薄膜にアニール処理を施し、ゼロ磁場・室温における安定なTHEを観測した。本発表では、THEを中心としたCr3Te4薄膜の磁気輸送特性と、その起源について議論する。