セッション詳細
[8p-N302-1~20]17.3 層状物質
2025年9月8日(月) 13:30 〜 18:45
N302 (共通講義棟北)
岡田 晋(筑波大)、 岩﨑 拓哉(NIMS)
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の基礎物性。トポロジカル物性、原子層転写・積層技術、電子物性、光物性、ドーピング技術。
[8p-N302-1]ファンデルワールス磁性半金属における室温ゼロ磁場トポロジカルホール効果の観測
〇松岡 秀樹1,2、梶原 駿3、遠藤 幹大3、王 越3、岩佐 義宏1,3、中野 匡規1,3,4 (1.理研CEMS、2.東大生産研、3.東大工、4.芝浦工大)
[8p-N302-2]ゲート誘起トポロジカル磁性相転移の観測
〇(DC)遠藤 幹大1、松岡 秀樹2,3、岩佐 義宏1,3、中野 匡規1,3,4 (1.東大院工、2.東大生研、3.理研CEMS、4.芝浦工大工)
[8p-N302-6]CVD単層MoS2/Al2O3 MOSキャパシタにおけるC-V特性の電極依存性に関する研究
〇(M1)中村 志穂1、青木 伸之1、柯 梦南2 (1.千葉大、2.横浜国立大)
[8p-N302-8]粘着テープによる原子層作製の限界に向けて:mmスケールのグラフェン劈開
〇(PC)小野寺 桃子1、笠井 美郁2、土屋 靖史2、町田 友樹1 (1.東大生研、2.寺岡製作所)
[8p-N302-11]バレー特性を用いたSnSの構造ドメインの実空間観察
〇関根 大輝1、平岡 源四郎2、山本 壮太2、石原 淳2、好田 誠1,2,3,4 (1.量研QUARC、2.東北大工、3.東北大CSIS、4.東北大DEFS)
[8p-N302-12]MoS2/WSe2積層ヘテロ構造における層間励起子の発光分布
〇(M1)中山 紫稀1、小久保 大地1、青柳 上1、茂木 裕幸1、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、武内 修1、重川 秀実1 (1.筑波大数理)
[8p-N302-13]ゲート変調PL法を用いた単層WSe2におけるNbドーピング効果の考察
〇戸田 颯天1、金橋 魁利1、西村 知紀1、森戸 智2、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大理工)
[8p-N302-14]間欠フラックス法を用いたWSe2への高制御Nbポストドープ
〇田中 一樹1、西村 知紀1、金橋 魁利1、掛谷 尚史2、麻生 浩平2、大島 義文2、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.JAIST)
[8p-N302-15]Circular and Linear Polarized dichroism of excitonic complexes in Janus TMDC WSSe
〇(D)Louis Smet1, Tianyishan Sun1,2, Bi Dingkun1,2, Daiki Sekine3, Sota Yamamoto1, Jun Ishihara1, Hiroto Ogura1,2, Toshiaki Kato1,2, Makoto Kohda1,3,4 (1.Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.QST, 4.CSIS, Tohoku Univ.)
[8p-N302-16]シリコンナノ共振器による単層WS2の第二次高調波発生の増強
〇呉 柊斗1,2、篠北 啓介1,2、Karimi Mojtaba3、杉本 泰3、藤井 稔3、松田 一成4 (1.分子研、2.総研大、3.神戸大院工、4.京大エネ研)
[8p-N302-17]異種元素ドープグラファンの電子物性
〇前田 元彌1、波佐間 太一1、住吉 晶1、Betancourt Ranferi Cancino1、佐藤 翔太1、中村 淳1 (1.電通大院情報理工)
[8p-N302-19]第一原理拡散モンテカルロ法によるNiPd(CN)4の磁気・構造相転移解析
〇(M2)藤丸 竜之介1、岩井 優大2、大谷 亮2、市場 友宏1、本郷 研太3、前園 涼4 (1.北陸先端大、2.九州大学、3.北陸先端大情報、4.東京科学大)