講演情報
[8p-N324-11]熱酸化膜ベースの誘電体膜を用いた絶縁破壊電圧1 kV以上のSiキャパシタの開発
〇佐川 啓1、赤坂 俊輔1 (1.ローム株式会社)
キーワード：
Siキャパシタ
電力変換器の電圧サージ抑制にSiキャパシタを使ったRCスナバの適用が期待されている。Siキャパシタの誘電膜はSiNをベースとした報告が多いが、大きなリーク電流や強い引張応力により反りやクラックが生じ易い。一方、熱酸化膜は絶縁破壊電界強度が高いため誘電膜を薄化でき反りやクラックを抑制できる。また、SiNとの積層により応力緩和が可能である。今回、熱酸化膜をベースとした誘電膜でSiキャパシタを作製し評価をおこなった。