セッション詳細
[8p-N324-1~13]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2025年9月8日(月) 13:30 〜 17:00
N324 (共通講義棟北)
岡田 竜弥(琉球大)、 岡田 直也(産総研)
[8p-N324-2]RF スパッタ成膜したInSb 薄膜の裏返しRTA の効果
〇清水 脩平1、比嘉 辰志1、野口 隆1、梶原 隆司2、佐道 泰造2、岡田 竜弥1 (1.琉球大学、2.九州大学)
[8p-N324-4]多結晶Ge TFTにおける粒界に沿ったキャリア伝導の考察
〇黄 林yu1、居倉 功汰2、都甲 薫2、王 冬1、山本 圭介1,3 (1.九州大学、2.筑波大学、3.熊本大学)
[8p-N324-6]ALD成長Al2O3薄膜層を用いた半導体基板の表面活性化接合
〇齊藤 圭胡1、菊池 隆雅1、鈴木 淳一1、青山 怜央1、川鍋 凛1、丸山 佳己1、藤原 柊人1、河野 泰征1、赤羽 浩一2、井上 泰志1、内田 史朗1 (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)
[8p-N324-7]Characterization of Young’s Modulus Anisotropy in Single-Crystal Diamond
〇Zhaozong Zhang1, Wen Zhao1, Guo Chen1, Satoshi Koizumi1, Meiyong Liao1 (1.NIMS)
[8p-N324-8]ファイバーバンドルを用いたシリコンウェハの表面温度分布測定システム用センサーヘッドの開発
〇小野 遥夢1、YU JIAWEN1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
[8p-N324-9]Explosive Crystallization からのCLC Grain-Boundary-Free Si成長
〇佐々木 伸夫1,2、高山 智之2、浦岡 行治2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)