2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[8p-N324-1~13]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2025年9月8日(月) 13:30 〜 17:00
N324 (共通講義棟北)
13:30 〜 13:45

[8p-N324-1]卓上モノリシック3D-ICファブの提案

〇葉 文昌1 (1.島根大総合理工)
13:45 〜 14:00

[8p-N324-2]RF スパッタ成膜したInSb 薄膜の裏返しRTA の効果

〇清水 脩平1、比嘉 辰志1、野口 隆1、梶原 隆司2、佐道 泰造2、岡田 竜弥1 (1.琉球大学、2.九州大学)
14:00 〜 14:15

[8p-N324-3]ポリイミド上InSb薄膜のRTA結晶化

〇比嘉 辰志1、清水 脩平1、野口 隆1、梶原 隆司2、佐道 泰造2、岡田 竜弥1 (1.琉球大、2.九州大)
14:15 〜 14:30

[8p-N324-4]多結晶Ge TFTにおける粒界に沿ったキャリア伝導の考察

〇黄 林yu1、居倉 功汰2、都甲 薫2、王 冬1、山本 圭介1,3 (1.九州大学、2.筑波大学、3.熊本大学)
14:30 〜 14:45

[8p-N324-5]Ge窒化膜からの選択的窒素除去によるGeナノシート形成

〇(M2)森本 修太1,2、津田 龍之介1、細井 卓治1,2 (1.関学大院理工、2.物材機構)
14:45 〜 15:00

[8p-N324-6]ALD成長Al2O3薄膜層を用いた半導体基板の表面活性化接合

〇齊藤 圭胡1、菊池 隆雅1、鈴木 淳一1、青山 怜央1、川鍋 凛1、丸山 佳己1、藤原 柊人1、河野 泰征1、赤羽 浩一2、井上 泰志1、内田 史朗1 (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー英語発表

[8p-N324-7]Characterization of Young’s Modulus Anisotropy in Single-Crystal Diamond

〇Zhaozong Zhang1, Wen Zhao1, Guo Chen1, Satoshi Koizumi1, Meiyong Liao1 (1.NIMS)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[8p-N324-8]ファイバーバンドルを用いたシリコンウェハの表面温度分布測定システム用センサーヘッドの開発

〇小野 遥夢1、YU JIAWEN1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
15:45 〜 16:00

[8p-N324-9]Explosive Crystallization からのCLC Grain-Boundary-Free Si成長

〇佐々木 伸夫1,2、高山 智之2、浦岡 行治2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)
16:00 〜 16:15

[8p-N324-10]CuAl2相をSDに含むプラスチック上のCu-MICダブルゲートpoly-Ge TFT

〇栗原 義人1、五嶋 大喜1、原 明人1 (1.東北学院大院)
16:15 〜 16:30

[8p-N324-11]熱酸化膜ベースの誘電体膜を用いた絶縁破壊電圧1 kV以上のSiキャパシタの開発

〇佐川 啓1、赤坂 俊輔1 (1.ローム株式会社)
16:30 〜 16:45

[8p-N324-12]圧電薄膜共振子の高Q値・高周波化に向けた開発

〇天本 百合奈1、照元 幸次1、合田 賢司1、下地 規之1、内貴 崇1、木村 俊1、奥 良彰1 (1.ローム(株))
16:45 〜 17:00

[8p-N324-13]SOI MEMS共振器におけるピエゾ抵抗振動検出部の雑音特性

〇竹内 遼太郎1、張 亜1、劉 千1、平川 一彦1、諸橋 功2 (1.農工大工、2.情報通信研究機構)
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