講演情報
[8p-N401-9]ラマン分光法による表面ラフネスが(110)Si基板上SiGeエピ薄膜の歪に及ぼす影響の評価
〇伊藤 佑太1,2、伊波 希宇1,3、臼田 宏冶4、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.産総研、4.明大MREL)
キーワード：
SiGe、(110)薄膜、歪み
(110)Si nanosheet (NS)構造形成に必要なSiGe/Si積層構造より各NSに導入される歪量にばらつきが存在すると、予期しないデバイス特性の変化を生じさせる可能性がある。しかし、Si基板上のSiGeエピ薄膜においてはしばしば自己組織化的に薄膜表面に3次元構造が形成され、この構造の形成が歪状態に及ぼす影響については(110)薄膜では未だ詳細な検証が行われていない。本研究では、(110)SiGe/Siヘテロ構造試料における表面ラフネスが歪状態に及ぼす影響について調査する。