[8p-N401-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶 | 2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[8p-N401-1~12]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2025年9月8日(月) 14:00 〜 17:00

N401 (共通講義棟北)

14:00 〜 14:15

[8p-N401-1]スパッタリング法によるSi(111)基板上高品質エピタキシャルGe層形成

〇奥田太一¹、大田晃生²、横川凌^3,4、黒澤昌志¹、坂下満男¹、中塚理^1,5、柴山茂久¹ (1.名大院工、2.福岡大理、3.広大RISE、4.広大院先進理工、5.名大未来研)

14:15 〜 14:30

[8p-N401-2]スパッタリング法によるSi(001)基板上への高Sn組成Ge_1−xSn_x層のヘテロエピタキシャル成長

〇後藤幸作¹、柴山茂久¹、坂下満男¹、黒澤昌志¹、中塚理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[8p-N401-3]極薄酸化膜ナノチャネルを用いたスパッタエピタキシーによるSi基板上GeSn薄膜の成長

〇石丸賢昇¹、原征大¹、小林拓真¹、志村考功^1,2、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.早大IPS)

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[8p-N401-4]組成均一なGe_0.5Sn_0.5エピタキシャル層形成と共鳴ラマン効果の観測

〇柴田海斗¹、柴山茂久¹、横川凌^2,3、坂下満男¹、黒澤昌志¹、中塚理^1,4 (1.名大院工、2.広大RISE、3.広大院先進理工、4.名大未来研)

15:00 〜 15:15

[8p-N401-5]空間相関モデルを用いたGe_0.5Sn_0.5エピタキシャル膜の原子配列に関する考察

〇横川凌^1,2、柴田海斗³、柴山茂久³、坂下満男³、黒澤昌志³、中塚理^3,4 (1.広大RISE、2.広大院先進理工、3.名大院工、4.名大未来研)

15:15 〜 15:30

[8p-N401-6]発光素子応用に向けたGaGeSb混晶の構造評価

〇(M1C)母良田友¹、古藤良翔¹、石川靖彦¹、山根啓輔¹ (1.豊橋技科大)

15:30 〜 15:45

[8p-N401-7]SiGe/Si(110)構造におけるSiGe薄膜の臨界膜厚評価方法の検討

〇臼田宏治¹、伊波希宇^2,4、熊谷直人^2,3、入沢寿史^2,3、小椋厚志^1,4 (1.明治大MREL、2.産総研SFRC、3.LSTC、4.明治大理工)

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[8p-N401-8]化学気相成長法によるSi (110)オフ角度基板上SiGe薄膜成長の異方性評価

〇(M1)伊波希宇^1,2、臼田宏治³、熊谷直人^1,4、入沢寿史^1,4、小椋厚志^2,3 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL、4.LSTC)

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[8p-N401-9]ラマン分光法による表面ラフネスが(110)Si基板上SiGeエピ薄膜の歪に及ぼす影響の評価

〇伊藤佑太^1,2、伊波希宇^1,3、臼田宏冶⁴、小椋厚志^1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.産総研、4.明大MREL)

16:15 〜 16:30

[8p-N401-10]Si_1−yGe_yバッファ層を用いたSi_1−xSn_xエピタキシャル薄膜の成長と歪み制御

〇伊藤創生¹、黒澤昌志¹、Wei-Chen Wen²、山本裕司²、柴山茂久¹、坂下満男¹、中塚理^1,3 (1.名大院工、2.IHP – Leibniz Institute for High Performance Microelectronics、3.名大未来研)

16:30 〜 16:45

[8p-N401-11]歪みSiGe/Geに形成されるクラック周辺の歪み分布評価

〇溝口稜太¹、加藤惠太郎¹、芝原夕夏¹、相川茉由¹、山田道洋¹、浜屋宏平^2,3,4、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大、2.阪大基礎工、3.阪大基礎工 CSRN、4.阪大 OTRI スピン)

16:45 〜 17:00

[8p-N401-12]Si上Ge細線構造の格子ひずみに対するSiキャップ層の影響

〇(M1)松下宗暉¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、飛沢健¹、石川靖彦¹ (1.豊橋技科大)

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