講演情報
[8p-N404-13]基板温度変化によるR面サファイア基板上のNb薄膜の特性比較
〇(D)平間 友博1、石黒 康志1、立木 隆1 (1.防衛大)
キーワード：
超伝導体、Nb、RRR
テラヘルツ波技術や量子技術に用いられる超伝導デバイスの高性能化を目指し、ジョセフソン接合や伝送線路等を構成するNb薄膜の特性向上を行っている。前回、800℃に加熱したR面とC面サファイア基板上にNb薄膜をDCマグネトロンスパッタにより作製し、特性を比較したところ前者のほうが高い残留抵抗比（RRR）を示すことを報告した。しかしながら、基板温度が800℃に至るまでにNb薄膜の配向性や表面モフォロジーがどのように変化し、RRRが向上していくかが不明確であった。そこで、本研究ではR面サファイア基板上のNb薄膜の成長過程に着目し、基板温度を変えて成膜したNb薄膜の表面モフォロジーおよび電気的特性を比較することとした。