[8p-P09-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

[8p-P09-3] チタン石型Ca(Ti,Mn)SiO₅薄膜の作製と評価

〇梶原 輝¹、倉橋 哲史¹、Yang Weirong¹、濵嵜 容丞²、桑野 太郎¹、谷口 博基³、小林 能直¹、安井 伸太郎¹ (1.Science Tokyo、2.防衛大、3.名大)

キーワード：

反強誘電体、薄膜、マルチフェロイクス

デジタル情報量の増加に伴い半導体メモリの消費電力が急増している。この問題に対してBiFeO₃などのマルチフェロイック材料が注目されているが、材料選択肢が限られており、ペロブスカイト以外の構造を持つ物質を探索することがこれらへの理解と応用を広げる上で重要である。本研究では、反強誘電体CaTiSiO₅に対して系統的なMn置換を行い、結晶構造および誘電特性への影響を明らかにする。