講演情報
[8p-S301-4]歪および表面形状制御による三次元自己周期整合型IV族ナノドット成長
〇山本 裕司1,2、Wen Wei-Chen1、Tillack Bernd1,3 (1.IHP-Leibniz Institut für innovative Mikroelektronik、2.名古屋大学、3.Technische Universität Berlin)
キーワード：
ナノドット、SiGe、エピタキシー
最近のIV族半導体製造プロセスの発展により、ナノドット(ND)や超格子等の新しい物性を持つ材料の製作が可能となり、これらを用いた新機能デバイスの既存のCMOSテクノロジーへの応用が期待される。IV族NDをSi上に形成する場合、核成長を利用するため通常ランダムな分布となる。フォトリソグラフィーを用いた周期的構造の形成は可能であるが、高密度化は困難である。本発表では、歪および表面形状を制御する事で三次元周期構造を持つSiGe NDをCVD法を用いて自己整合的に製作した結果および形成メカニズムをまとめる。