講演情報
[9a-N201-10]ミストCVD法による銀薄膜の成膜とEDAの濃度がプラズモン共鳴に与える影響
〇水本 圭1,2、岡田 達樹1,2、大橋 亮介1,2、モンダル アバイ・クマール1、ワイス テッ1、川原村 敏幸1,3 (1.高知工大、2.シス工、3.総研)
キーワード：
半導体、金属薄膜、銀
本研究ではミストCVD法を用いたAg薄膜の成膜において、還元剤として添加するEDAの濃度を操作することで、島状粒子サイズや局在表面プラズモン共鳴(LSPR)を制御することが出来ないか調査することとした。実験結果から、EDA濃度1.0%以上添加し、成膜温度を450℃と設定することで島状の微細な銀ナノ構造を持つ非連続膜が形成されていることを確認した。このような薄膜では、局在表面プラズモン共鳴が発現している可能性が高いと考えられる。