講演情報
[9a-N301-7]AlN/SiNx水平積層導波路による第二高調波発生
〇本田 啓人1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
キーワード：
波長変換、窒化物半導体、光デバイス
光パラメトリック下方変換（OPDC）によって発生する光子対やスクイーズド光は量子情報処理に用いられ、光集積回路（PIC）にOPDCデバイスを搭載することでシステムは小型化し、安定性も向上する。我々はこれまでに、強い2次の光学非線形性を有するAlNとPICの材料として広く用いられるSiNxを水平方向に積層した横型擬似位相整合チャネル導波路を提案してきた。この構造は極性反転のための結晶再成長や接合技術を必要とせず、一般的な半導体微細加工技術で作製可能である。本研究では、AlN/SiNx水平積層導波路を作製し、OPDCの逆過程にあたる第二高調波発生（SHG）を光ファイバ通信波長帯のCWレーザ励起にて実証したので報告する。