2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-N301-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年9月9日(火) 9:00 〜 12:00
N301 (共通講義棟北)
9:00 〜 9:15

[9a-N301-1]グラフェン/SiC 基板上窒化物エピタキシャル薄膜の剥離に関する検討

〇(M2)富澤 真奈1、ジョン ミンジェ1、上野 耕平1、潘 テン2、濱本 穂高2、竹本 圭佑2、江森 健太2、藤岡 洋1 (1.東大生研、2.日産自動車)
9:15 〜 9:30

[9a-N301-2]ナノチャンネルエピタキシーを用いた３元混晶AlGaNテンプレートの作製

〇成塚 重弥1、高橋 拓也1、松本 龍矢1、長瀬 瑚海樹1、丸山 隆浩1 (1.名城大学)
9:30 〜 9:45

[9a-N301-3]PEMスタンプ加工により作製したSiCパターン基板上への RF-MBE GaN成長

〇大久保 佳輝1、太田 篤志1、中本 トラン2、藤井 高志3、村田 順二1、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研)
9:45 〜 10:00

[9a-N301-4]InN/GaN(0001)界面における界面1原子層での格子不整合緩和

長瀬 知輝1、長川 健太1、狩野 絵美1、福田 圭祐1、白石 賢二1、押山 淳1、荒木 努2、〇五十嵐 信行1 (1.名大、2.立命館大)
10:00 〜 10:15

[9a-N301-5]電流注入効率改善のためのp-AlGaN EBLの高品質化

〇小口 眞大1、富樫 理恵1,2、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)
10:30 〜 10:45

[9a-N301-6]MoS2/GaNヘテロ接合を用いた可視帯域動作の単一走行キャリアフォトダイオード(UTC-PD)の開発

〇門脇 拓也1、芹川 昂寛1、市川 諒英1、大巻 雄治1、宇佐見 康二1、川上 養一1、岩佐 義宏2、小川 尚史1 (1.日亜化学、2.理研 CEMS)
10:45 〜 11:00

[9a-N301-7]AlN/SiNx水平積層導波路による第二高調波発生

〇本田 啓人1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-N301-8]高効率深紫外LEDに向けたLLOによる基板剥離および粗面化

〇(M2)三浦 聖央1、藤田 真帆1、竹久 哲平1、武藤 響己1、高瀨 健太1、藤田 麻里奈1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、石黒 永孝1、奥野 浩司1,2、齋藤 義樹1,2 (1.名城大理工、2.豊田合成(株))
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[9a-N301-9]メササイズ微細化に伴う深紫外マイクロLEDアレイの外部量子効率増大

〇山口 侑真1、木村 重哉1、宮川 徹也1、橋本 玲1、齋藤 真司1、布上 真也1 (1.株式会社東芝)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[9a-N301-10]加圧加熱水でAlGaN膜を処理することにより形成された変質層の解析

〇(DC)松原 衣里1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、丸山 隆浩1、三宅 秀人2 (1.名城大学理工、2.三重大学工)
11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[9a-N301-11]低温加熱水処理によるAlGaN/AlN構造の水剥離と表面品質の改善

〇宮本 侑茉1、齋藤 巧夢1、佐々木 祐輔1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
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