[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:45 〜 12:00

[9a-N305-11] 平衡状態に近い結晶成長形における晶相・晶癖変化: ナノスケールKardar-Parisi-Zhangラフ面の影響

〇阿久津 典子¹、草場 彰¹、寒川 義裕¹、藤原 航三²、前田 健作³、阿久津 泰弘⁴ (1.九大応力研、2.東北大金研、3.北陸先端大、4.阪大院理)

キーワード：

結晶成長形、Kardar-Parisi-Zhangカイネティック・ラフニング、Siの結晶成長

ゆっくり変化する平衡状態に近い結晶成長形について、Müller-Krumbhaar らの時間に依存したギンツブルクーランダウの思想に基づいた結晶表面成長の式から成長形を求めた。必要となる、表面スティフネスと表面カイネティック係数を密度行列繰り込み群法とモンテカルロ法で異方性も含めてそれぞれ計算した。
成長駆動力が増大すると、テラス面のKPZカイネティック・ラフニングにより結晶の晶癖が変化する 。