セッション詳細

[9a-N305-1~11]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2025年9月9日(火) 9:00 〜 12:00
N305 (共通講義棟北)

[9a-N305-2]希薄窒化GaNAs多重量子井戸における円偏光発光特性の窒素組成依存性

〇木瀬 寛都1、峰久 恵輔2、高山 純一1、村山 明宏1、石川 史太郎2、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)

[9a-N305-3]低温成長した希薄窒化InGaAsN/GaAs量子井戸の円偏光発光特性

〇多川 英汰1、峰久 恵輔2、森田 彩乃1、木瀬 寛都1、高山 純一1、石川 史太郎2、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)

[9a-N305-4]InGaAsN中のドナーおよびアクセプタの熱安定性

〇(P)河野 将大1、玉城 大天1、小島 信晃1、大下 祥雄1 (1.豊田工業大学)

[9a-N305-5]窒素導入量を変化させた窒素δドープGaAsナノワイヤの分子線エピタキシャル成長と光学特性評価

〇佐野 真浩1,2、峰久 恵輔1,2、橋本 英季1,2、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)

[9a-N305-6]有機金属気相成長法で作製したInAs基板上InAs/GaAsSb超格子の光学的特性の評価

〇山元 康平1、鈴木 秀俊1、荒井 昌和1、藤澤 剛2、前田 幸治1 (1.宮崎大工、2.法政大理工)

[9a-N305-7]ALE法で作製されたGaAsN/GaAs超構造薄膜におけるGaAs層数のN分布への影響

〇竹尾 虎之助1、古藤 隼人1、鈴木 秀俊1、河野 将大2 (1.宮大工、2.豊工大)

[9a-N305-8]Lateral Aspect Ratio Trapping法により形成したInPマイクロテンプレート上選択MOVPE成長薄膜の構造欠陥解析

〇本間 寛弥1、杉山 弘樹1、開 達郎1、佐藤 具就1、松尾 慎治1 (1.NTT 先デ研)

[9a-N305-9]InP/InGaAsラテラルHBT製作に向けた微細空洞内MOVPE選択成長

〇渡辺 翔太1、宮本 恭幸1 (1.科学大工)

[9a-N305-10]多結晶InGaAs薄膜の固相成長によるキャリア移動度の向上

〇(M1)清野 碩1、野沢 公暉1、Seo Jisol1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院)

[9a-N305-11]平衡状態に近い結晶成長形における晶相・晶癖変化: ナノスケールKardar-Parisi-Zhangラフ面の影響

〇阿久津 典子1、草場 彰1、寒川 義裕1、藤原 航三2、前田 健作3、阿久津 泰弘4 (1.九大応力研、2.東北大金研、3.北陸先端大、4.阪大院理)