[9a-N323-1~9] 13.9 化合物太陽電池

11:30 〜 11:45

[9a-N323-8] 常温接合を用いたp-InGaAs//n-InGaAs接合の低抵抗化

〇藤原 柊人¹、藤井 駿太朗¹、齋藤 圭胡¹、千葉 萌翔¹、金子 優翔¹、平野 吟¹、垣内 凌雅¹、六崎 健太¹、赤羽 浩一²、内田 史朗¹ (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)

キーワード：

化合物太陽電池

本研究では、p-InGaAs//n-InGaAs接合の低抵抗化を目指し、高速原子ビーム(FAB：Fast Atom Beam)の照射条件である照射時間、印加電流依存性を調査した。実験結果から、印加電流を変化させたすべてのサンプルでオーミック接触となり、印加電流75 mAで接合界面抵抗0.65 Ωcm2を得た。これは、接合界面の欠陥準位を介したトンネル電流の接合界面抵抗低下と考えられる。