講演情報
[9a-P03-3]内殻準位光電子分光によるSiC(0001)表面の初期熱酸化解析
〇伊東 翔太1、片山 遼耶1、遠田 義晴1 (1.弘大院理工)
キーワード：
SiC、熱酸化、XPS
SiC表面上のゲート絶縁膜としてのSiO2膜の形成は、未だ課題が多い状況である。我々はこれまでに、内殻準位光電子分光によりSiC表面の初期熱酸化に関し、酸化前の表面状態の違いにより酸化反応が促進・抑制されること、酸化のpassive・active反応が理論予想とほぼ合致することなどを報告した。今回は、酸化前表面状態の違い、基板面方位（Si面とC面）の影響、酸素圧力の効果等、様々な酸化条件での初期熱酸化を実施し、内殻準位光電子分光により詳細に解析した結果を報告する。