講演情報
[9p-N101-3]ゲートスタックの最新動向
〇右田 真司1,2 (1.産総研、2.LSTC)
キーワード：
High-k/Metal ゲート、MOSトランジスタ、集積回路
本講演ではゲートスタックの最新動向を紹介する。ゲートスタックはシリコン結晶基板の上に製造された大規模集積回路(VLSI)の中の数百億個に及ぶMetal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)の一つ一つを構成する重要なパーツで、ゲート電極に印加した電圧を通してチャネルのポテンシャルを制御することで、ソース・ドレイン間を流れるトランジスタ電流を６桁以上にわたって変調することを可能にする。Poly-Si/SiO2の組み合わせの時代を経て、Metal/High-kという新材料の組み合わせが採用されて以来今日まで、ゲートスタックはVLSIの集積度と性能の向上に大きく貢献している。