セッション詳細

[9p-N101-1~10]【一般公開】先端ロジック半導体とその周辺技術

2025年9月9日(火) 13:30 〜 17:25
N101 (共通講義棟北)

[9p-N101-1]オープニング

〇中塚 理1 (1.名古屋大学)

[9p-N101-2]GAA-NS-FET および3DSFET (CFET) 技術の最新動向

〇若林 整1 (1.東京科学大学)

[9p-N101-3]ゲートスタックの最新動向

〇右田 真司1,2 (1.産総研、2.LSTC)

[9p-N101-4]ポストCu配線技術の動向と裏面配線対応の展望

〇井上 史大1 (1.横浜国大)

[9p-N101-5]Beyond 2nm世代向けのエピ成長およびシリコン基板の最新動向

〇小椋 厚志1,2、臼田 宏冶2 (1.明治大学 理工、2.明治大学 MREL)

[9p-N101-6]半導体製造プロセス開発を加速するAI技術

〇沓掛 健太朗1、宇治原 徹1、関 翔太2、高石 将輝2、永倉 大樹3、谷川 公一3、永井 勇太4 (1.名大、2.アイクリスタル、3.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、4.グローバルウェーハズ・ジャパン)

[9p-N101-7]HZO強誘電体メモリと新原理コンピューティングへの展開

〇トープラサートポン カシディット1、劉 振泓1、伊藤 広恭1、高烜 赫東1、趙 成謹1、蔡 作成1、名幸 瑛心1、閔 信義1、鈴木 陸央1、中根 了昌1、竹中 充1、高木 信一1,2 (1.東大院工、2.帝京大先端研)

[9p-N101-8]3D半導体チップの熱マネージメントを支える放熱デバイスと計測技術

〇長野 方星1 (1.名古屋大学)

[9p-N101-9]クロージング 1

〇角村 貴昭1 (1.東京エレクトロン)

[9p-N101-10]クロージング 2

〇齊藤 丈靖1 (1.大阪公立大)