講演情報
[9p-N107-10]水素化／脱水素化反応にともなう金属―半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発 (5):水素化ガドリニウム薄膜の熱伝導率制御
〇(M2)高橋 七瀬1、平田 璃子1、山下 雄一郎1,2、キム ミンソク1、小口 有希1、八木 貴志1,2、竹歳 尚之1,2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.産総研)
キーワード：
水素化ガドリニウム、調光ミラー材料、熱伝導率スイッチ
様々な外場や化学反応によって高熱伝導率（ON）と低熱伝導率（OFF）を切り替える熱伝導率スイッチに着目した。水素化ガドリニウム薄膜を用い、水素化／脱水素化反応に伴い、金属(ON)状態と半導体(OFF)状態の熱伝導率を可逆的に制御した。反応はAr+H2(3 %)混合ガスを用いるガスクロミック（GC）方式と電解液中で電気化学的に制御を行うエレクトロクロミック（EC）方式で行い、サーモリフレクタンス（TDTR）測定を用いて熱伝導率を評価した。