2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

[9p-N107-1~14]6.4 薄膜新材料

2025年9月9日(火) 13:30 〜 17:15
N107 (共通講義棟北)
13:30 〜 13:45

[9p-N107-1]ヨウ素拡散を利用したLi(BH4)1-xIx薄膜の作製と評価

〇(D)福士 英里香1、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[9p-N107-2]Sn(II)ドーピングによるCuIの導電性向上

〇(M2)豊田 真秀1、村田 秀信2、長尾 朋和3、石川 練3、高橋 絵里歌3、猪俣 崇4、山田 直臣1 (1.中部大学院工、2.ファインセラミックスセンター、3.NBCメッシュテック、4.稀産金属)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[9p-N107-3]CuBiI4薄膜のエピタキシャル成長

〇(M2)小川 航輝1、高橋 美麗1、村田 秀信2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.ファインセラミックスセンター)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[9p-N107-4]WO3薄膜の透過率変化を用いた水素バリア膜の性能評価[2]: 水素透過流束を用いた定量評価

〇栗原 大芽1、鈴木 舞乙1、金 旼奭1、山田 恭太郎2、待永 広宣2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.日東電工)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー英語発表

[9p-N107-5]Composite-Driven Enhancement of Thermoelectric Properties in Amorphous Fe-V-W-Al Thin Films

〇(P)KAVITA YADAV1, Yuya Tanaka1, Masaharu Matsunami1, Tsunehiro Takeuchi1,2 (1.Toyota Tech. Inst., Hisakata 2-12-1, Tempaku, Nagoya 468-8511, Japan, 2.Research Center for Smart Energy Technology, Toyota Tech. Inst., Nagoya 468-8511, Japan)
14:45 〜 15:00

[9p-N107-6]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱・物性制御薄膜の開発 (1): 透明導電膜の電気・熱伝導から熱スイッチの開発まで

〇重里 有三1 (1.青学大理工)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[9p-N107-7]水素化／脱水素化反応にともなう金属–半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(2):
SmH2薄膜における反応速度の温度依存性解析

〇朱 凱文1、キム ミンソク1、鈴木 正1、重里 有三1 (1.青学大理工)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[9p-N107-8]水素化／脱水素化にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発 (3)：
YMgHx薄膜における反応速度の温度依存性解析

〇村上 彰啓1、シュー ガイブン1、キム ミンソク1、鈴木 正1、重里 有三1 (1.青学大理工)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[9p-N107-9]水素化/脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(4):NiMgHx薄膜における反応速度の温度依存性解析

〇三野 大1、シュー ガイブン1、キム ミンソク1、鈴木 正1、重里 有三1 (1.青学大理工)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[9p-N107-10]水素化／脱水素化反応にともなう金属―半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発 (5):水素化ガドリニウム薄膜の熱伝導率制御

〇(M2)高橋 七瀬1、平田 璃子1、山下 雄一郎1,2、キム ミンソク1、小口 有希1、八木 貴志1,2、竹歳 尚之1,2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.産総研)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[9p-N107-11]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(6): 水素化サマリウム薄膜の熱伝導率

〇(M2)山田 皓太1、山下 雄一郎1,2、上野 美紀1、キム ミンソク1、小口 有希1、八木 貴志1,2、竹歳 尚之1,2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.産総研)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[9p-N107-12]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(7): ガスクロミック方式によるPd担持Ti-Mg合金薄膜の熱物性制御

〇(M1)青山 実夢1、山下 雄一郎1,2、八木 貴志1,2、キム ミンソク1、小口 有希1、竹歳 尚之1,2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.産総研)
16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[9p-N107-13]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発 (8): Pdを担持したMg並びにY–Mg合金の電気化学的操作による水素化／脱水素化反応

〇長根 周星1、キム ミンソク1、小口 有希1、重里 有三1 (1.青学大理工)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[9p-N107-14]水素化／脱水素化反応にともなう金属-半導体相変化による光・電気・熱物性制御薄膜の開発(9):
NiO, NdNiO3薄膜の電気化学的手法による物性制御

〇岡本 晏1、池田 果歩1、キム ミンソク1、小口 有希1、重里 有三1 (1.青学大理工)
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