講演情報
[9p-N302-4]シリコン結晶基板の品質と点欠陥: ルネッサンス (14) 点欠陥に対する熱内部応力効果
〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)
キーワード：
シリコン結晶、点欠陥、内部熱応力
シリコン結晶への応力効果は従来転位が検討された。1983年に阿部は熱応力により点欠陥が増加しgrown-in欠陥を決めると予想した。我々は2000年前後に熱力学的解析でドーピング効果で、内部応力による平衡濃度増加0.1-1％を得た。次に熱応力効果で緩和体積とヤング率から0.006％を得た。同時期に測定されたヤング率は105倍で、応力10MPaで0.1％が得られる。2014年に実験的に確認された。