セッション詳細

[9p-N302-1~6]15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2025年9月9日(火) 13:30 〜 15:00
N302 (共通講義棟北)

[9p-N302-1]ハイスループットX線トポグラフィ装置のSPring-8 BL16B2への導入

〇志村 考功1,4、梶原 堅太郎2、亀島 敬2,4、山口 聡3、大坂 泰斗4、矢橋 牧名4 (1.早大IPS、2.JASRI、3.豊田中研、4.理研RSC)

[9p-N302-2]深いX線トポグラフィーによる4H-SiCの貫通らせん転位の傾斜構造の解析

〇石地 耕太朗1、米山 明男1、鎌田 功穂2 (1.九州シンクロ、2.電中研)

[9p-N302-3]Study on the Surface Wettability of Major SiC Crystal Polytypes

〇JungGon Kim1, Gyeong-jun Song1, Na-keoung Kim1, Chan-ho Park1, Dae-uk Kim1, Mi-seon Park1, Kwang-hee Jung1, Won-jae Lee1, Woo-Sik Yoo2 (1.Dong-Eui University, 2.WaferMasters, Inc.)

[9p-N302-4]シリコン結晶基板の品質と点欠陥: ルネッサンス (14) 点欠陥に対する熱内部応力効果

〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)

[9p-N302-5]シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学/ルネッサンス第二世代 (27) VNs

〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)

[9p-N302-6]シリコン結晶中の低濃度炭素の測定/ルネッサンス (31)電子線誘起CiOi,CiCsの挙動とフォトルミネッセンス

〇井上 直久1、奥田 修一1、川又 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)