講演情報
[9p-N304-5]Sidewall spacer構造を有するフルエピタキシャルNbN/AlN/NbN接合を用いた超伝導トランズモン型量子ビット
〇(M2)本田 浩輝1、栗原 大輝1、内田 徳之新1、沓間 弘樹1、寺井 弘高2、山下 太郎1 (1.東北大院工、2.情通機構)
キーワード：
超伝導量子ビット、sidewall spacer構造、NbN/AlN/NbNジョセフソン接合
エピタキシャル成長したNbN/AlN/NbN接合量子ビットは，欠陥二準位系に起因するデコヒーレンスの抑制が期待されているが，複雑な素子作製プロセスにより，本来の特性が抑制されている可能性がある．そこで我々は，デコヒーレンス源となるエッチング残渣の低減が期待できるsidewall spacer構造を有するNbN接合作製技術を立ち上げた．発表では同接合を有するトランズモン量子ビットについて報告する．