講演情報
[9p-N401-10]ダブルデッカー型イットリウム(III)―フタロシアニナト錯体カチオンの吸着に伴う基底状態変化に関する密度汎関数理論に基づく検討
〇廣田 陸哉1、多田 幸平1,2、岸 亮平1,2,3、北河 康隆1,2,3,4 (1.阪大院基礎工、2.阪大ICS-OTRI、3.阪大QIQB、4.阪大OTRI-Spin)
キーワード：
表面吸着、基底状態、密度汎関数理論
単分子磁石は次世代の大容量記録媒体としての利用が期待されている．ダブルデッカー型ランタノイド（III）－フタロシアニナト錯体（LnPc2）はその有力な候補である．実装にあたっては分子を基板上に吸着させて用いることが想定される．我々のグループはAu基板に吸着したYPc2カチオンについて密度汎関数理論に基づく計算を行った．その結果，気相とは異なり表面吸着状態ではFM状態（S = 1/2）が基底状態となることを見出した．