講演情報
[9p-P06-10]X線光電子分光(XPS)と硬X線光電子分光(HAXPES)を用いたCH3NH3PbI3の深さ方向の電子準位及び組成評価
〇(B)澤井 鴻輝1、赤塚 有杜2、戸崎 椋太2、岩澤 柾人3、吉田 弘幸1,2,4 (1.千葉大工、2.千葉大院工、3.日産化学株式会社、4.千葉大MCRC)
キーワード：
ペロブスカイト太陽電池、硬X線光電子分光法
本研究では、前駆体溶液中のPbI₂とMAIの比率を変えて成膜したCH3NH3PbI3について、UPS、XPS、HAXPES、LEIPSを用いて電子準位を深さ方向に評価した。その結果、表面はn型、内部はp型半導体の振る舞いを示し、混合比を変えても内部の電子準位変化の方向は一定であることが分かった。また表面とバルクの組成差をXPS、HAXPES、SEM像の結果を照合して検討した。