講演情報
[9p-P12-7]静電噴霧法によるCsPbBr3ペロブスカイト量子ドットの成膜と評価
〇(M2)西口 昂志1、野口 遼太郎1、濱田 銀河1、徳原 忠大1、大谷 直毅1 (1.同志社大理工)
キーワード：
静電噴霧法、量子ドット
CsPbBr3ペロブスカイト量子ドット（PeQDs）は、FWHMが狭く優れた発光特性を示すが、熱や極性溶媒に弱い。本研究では、PbBr2のシェル層で覆ったCsPbBr3を作製した。また、低コストで均一な薄膜を形成できる静電噴霧法（ESD法）を用いてPeQDs薄膜を作製し、PL特性を評価した。