[15p-M_124-1~16]17.3 層状物質
2026年3月15日(日) 14:00 〜 18:15
M_124 (本館)
座長：入沢 寿史(産総研)、 星 裕介(都市大)
ドーピング技術とトンネルFET、絶縁膜堆積、電極コンタクト、萌芽的デバイス
セッション一覧（分科別）
17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質
[16a-M_178-1~11]17.3 層状物質
2026年3月16日(月) 9:00 〜 12:00
M_178 (本館)
座長：高岡 毅(東北大)
センサ・メモリ・ウェハスケール応用、その他応用技術
[17a-M_178-1~13]17.3 層状物質
2026年3月17日(火) 9:00 〜 12:30
M_178 (本館)
座長：島崎 佑也(理研)
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の基礎物性。トポロジカル材料、原子層超格子の電子物性および光物性、原子層転写・積層技術
[17p-M_178-1~15]17.3 層状物質
2026年3月17日(火) 14:00 〜 18:00
M_178 (本館)
座長：島田 敏宏(北大)、 中払 周(東京工科大)
磁性層間化合物の物性、TMDのスピン軌道相互作用、TMDナノスクロールの物性、窒化ホウ素、ヤヌスTMD
[18a-M_178-1~11]17.3 層状物質
2026年3月18日(水) 9:00 〜 12:00
M_178 (本館)
座長：岡田 晋(筑波大)
TMDを中心としたナノリボンからウェーハスケールまでの成膜技術
[18p-M_178-1~8]17.3 層状物質
2026年3月18日(水) 14:00 〜 16:00
M_178 (本館)
座長：大野 恭秀(徳島大)
TMDを主な対象とした欠陥評価技術、構造制御技術、基礎物性評価技術
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