17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials : 17.3 Layered materials
Oral presentation
Sun. Sep 7, 2025 1:30 PM - 6:30 PM JST
Sun. Sep 7, 2025 4:30 AM - 9:30 AM UTC
N302 (Lecture Hall North)
Yasumitsu Miyata(NIMS), Nobuyuki Aoki(千葉大)
前半：遷移金属ダイカルコゲナイドなどの成長技術
後半：成長技術、構造評価、新機能発現
Oral presentation
Mon. Sep 8, 2025 9:00 AM - 12:00 PM JST
Mon. Sep 8, 2025 12:00 AM - 3:00 AM UTC
N302 (Lecture Hall North)
Daisuke Kiriya(Univ. Tokyo)
成長および構造観察評価・デバイス要素技術・反応誘起デバイス
Oral presentation
Mon. Sep 8, 2025 1:30 PM - 6:45 PM JST
Mon. Sep 8, 2025 4:30 AM - 9:45 AM UTC
N302 (Lecture Hall North)
Okada Susumu(Univ. of Tsukuba), Takuya Iwasaki(NIMS)
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の基礎物性。トポロジカル物性、原子層転写・積層技術、電子物性、光物性、ドーピング技術。
Oral presentation
Wed. Sep 10, 2025 9:00 AM - 11:30 AM JST
Wed. Sep 10, 2025 12:00 AM - 2:30 AM UTC
S102 (Lecture Hall South)
Mahito Yamamoto(Kansai University)
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)半導体のデバイス応用。ドーピング制御、コンタクト抵抗低減、負性微分抵抗素子。
Oral presentation
Wed. Sep 10, 2025 1:00 PM - 3:30 PM JST
Wed. Sep 10, 2025 4:00 AM - 6:30 AM UTC
S102 (Lecture Hall South)
Takamasa Kawanago(AIST)
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)半導体のデバイス応用。ゲート特性の向上、低抵抗電極、ガスセンシング特性、発光デバイス。
