[7p-N302-1~19]17.3 層状物質
2025年9月7日(日) 13:30 〜 18:30
N302 (共通講義棟北)
宮田 耕充(NIMS)、 青木 伸之(千葉大)
前半：遷移金属ダイカルコゲナイドなどの成長技術
後半：成長技術、構造評価、新機能発現
後半：成長技術、構造評価、新機能発現
セッション一覧（分科別）
17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質
[8a-N302-1~11]17.3 層状物質
2025年9月8日(月) 9:00 〜 12:00
N302 (共通講義棟北)
桐谷 乃輔(東大)
成長および構造観察評価・デバイス要素技術・反応誘起デバイス
[8p-N302-1~20]17.3 層状物質
2025年9月8日(月) 13:30 〜 18:45
N302 (共通講義棟北)
岡田 晋(筑波大)、 岩﨑 拓哉(NIMS)
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の基礎物性。トポロジカル物性、原子層転写・積層技術、電子物性、光物性、ドーピング技術。
[10a-S102-1~9]17.3 層状物質
2025年9月10日(水) 9:00 〜 11:30
S102 (共通講義棟南)
山本 真人(関大)
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)半導体のデバイス応用。ドーピング制御、コンタクト抵抗低減、負性微分抵抗素子。
[10p-S102-1~9]17.3 層状物質
2025年9月10日(水) 13:00 〜 15:30
S102 (共通講義棟南)
川那子 高暢(産総研)
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)半導体のデバイス応用。ゲート特性の向上、低抵抗電極、ガスセンシング特性、発光デバイス。
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