[C-10] 電子デバイス

9:00 〜 9:15

[C-10-01] （依頼講演）四元混晶n型AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを備えたGaN系HBTの作製と特性評価

○滝本 将也¹、間瀬 晃¹、小嶋 智輝¹、井上 諒星¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1. 名古屋工業大学)

キーワード：

GaN系HBT、AlGaInN、p型GaInN、MOCVD