セッション詳細
[C-10]電子デバイス
2024年3月6日(水) 9:00 〜 11:15
工学部 1階 112(広島大学 東広島キャンパス)
座長:葛西 誠也(北海道大学)、小山 政俊(大阪工業大学)
[C-10-01](依頼講演)四元混晶n型AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを備えたGaN系HBTの作製と特性評価
○滝本 将也1、間瀬 晃1、小嶋 智輝1、井上 諒星1、江川 孝志1、三好 実人1 (1. 名古屋工業大学)
[C-10-02](依頼講演)テラヘルツ波を用いた2データ間のXOR演算による高セキュリティ無線通信システムの原理実証
矢野 拓弥1、車 明1、陳 漢偉1、清木 直哉1、白水 孝始1、三上 裕也1、上田 悠太2、○加藤 和利1 (1. 九州大学、2. NTT)
[C-10-04]サブTHz帯大容量固定通信向けビーム軸調整用可変移相器の開発
○中舍 安宏1、筒井 正文1、周 凉1、熊崎 祐介1、岡本 直哉1、原 直紀1、伊達木 隆1、尾崎 史朗1、多木 俊裕1 (1. 富士通株式会社)
休憩時間
[C-10-06]次世代光通信システムの超高速化に向けた高感度プラズモニックInGaAsフォトダイオードの開発
○増澤 俊輝1、種村 拓夫2、小野 篤史1,3 (1. 静岡大学、2. 東京大学、3. 静岡大学電子工学研究所)
[C-10-08]GaN HEMTのGaNトラップのY22/Y21信号と過渡応答特性比較
-マルチバイアスでの比較-
○大石 敏之1、東島 拓海1、久樂 顕2、山口 裕太郎2、新庄 真太郎2、山中 宏治2 (1. 佐賀大学、2. 三菱電機)