[C-10] 電子デバイス

11:00 〜 11:15

[C-10-08] GaN HEMTのGaNトラップのY₂₂/Y₂₁信号と過渡応答特性比較
-マルチバイアスでの比較-

○大石 敏之¹、東島 拓海¹、久樂 顕²、山口 裕太郎²、新庄 真太郎²、山中 宏治² (1. 佐賀大学、2. 三菱電機)

キーワード：

GaN、トラップ、評価