講演情報

[B-20-13]低閾値GaAs E-pHEMT GADを用いる5.8GHz帯微弱電力レクテナ

〇町田 翔太郎1、平瀬 大暉1、廣瀬 裕也1、加藤 岳2、河野 孝昌2、津留 正臣1、坂井 尚貴1、伊東 健治1 (1. 金沢工業大学、2. 日清紡マイクロデバイス株式会社)

キーワード:

GaAs、E-pHEMT gated anode diode、整流器

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