[G] 組織制御

11:30 〜 11:45

[351] せん断帯の形成とECAEによって導入されるひずみ状態の関係

*吉澄 大雅¹、渡部 佑星¹、池田 昂聡¹、湯浅 元仁²、宮本 博之² (1. 同志社大（院生）、2. 同志社大)

キーワード：

Niobium、Shear band、Strain state、crystallographic orientation、equal channel-angular extrusion

活発な核形成サイトであるせん断帯の導入は、再結晶が起こりにくい高純度ニオブの再結晶の有効な促進手法である。本研究はECAE中のせん断帯形成について結晶方位とひずみ状態の関係から考察したので報告する。