講演情報
[19a-A201-8]ボトムゲート・ボトムコンタクト型有機単結晶TFTにおけるゲート絶縁膜材料に依存したキャリア注入
〇(D)村田 啓人1、土田 真嗣1、井上 悟1、東野 寿樹2、長谷川 達生1 (1.東大院工、2.産総研)
キーワード：
有機半導体,トランジスタ,キャリア注入
実用上重要なボトムゲート・ボトムコンタクト型有機TFTは、その構造上絶縁膜がキャリア注入に大きな影響を及ぼしうる。本研究では半導体単結晶薄膜を様々な絶縁膜上に塗布製膜してTFTを作製し、デバイス特性や注入特性を調べた。結果、比較的トラップ密度が大きい絶縁膜材料を用いた場合、デバイス移動度が減少し、大きな接触抵抗がソース電極付近に偏って存在することがわかった。