講演情報
[19a-A202-7]GaAs(001)微傾斜基板のステップ構造がGaSe/In2Se3薄膜のエピタキシャル方位に与える影響
〇藤田 絢也1、小島 信晃1、大下 祥雄1 (1.豊田工大)
キーワード：
層状物質
GaSeのステップ端を一方向に揃えてステップフロー成長させるためには、(111)微傾斜基板の使用と、基板との界面にIn2Se3層を挿入することが有効であるが、基板のステップ端構造とIn2Se3層の有無が、GaSeの成長にどのような影響を与えているのか、明確になっていない。そこで、ステップ端構造の異なる2種類のGaAs(001)微傾斜基板を用い、基板のステップ端の原子種とIn2Se3層がGaSeのエピタキシャル方位に与える影響から、GaSeのステップフロー成長におけるIn2Se3層の役割を議論する