2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-A301-1~10]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2023年9月19日(火) 9:00 〜 11:45
A301 (熊本城ホール)
岡田 竜弥(琉球大)、 呉 研(東工大)
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9:00 〜 9:15

[19a-A301-1][講演奨励賞受賞記念講演] 加熱その場高分解能TEMによる薄膜Si固相エピタキシャル成長の原子スケールリアルタイム観察

〇手面 学1、浅野 孝典1、高石 理一郎1、富田 充裕1、齋藤 真澄1、田中 洋毅1 (1.キオクシア㈱)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[19a-A301-2]核発生制御による多結晶GeSn薄膜の低欠陥・高移動度化

〇前田 真太郎1、石山 隆光1、茂藤 健太2、山本 圭介2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.九州大院)
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9:30 〜 9:45

[19a-A301-3]基板に成膜したアモルファスGe薄膜への低エネルギー電子ビーム照射による爆発的結晶化

〇坂元 響1、仲村 龍介1、柳澤 淳一1、佐道 泰造2 (1.滋賀県大工、2.九州大工)
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9:45 〜 10:00

[19a-A301-4]トリメチルアルミニウムとビニルシランを用いたp型a-SiC薄膜形成

〇土射津 佑起1、小野 浩毅2、上原 賢一3、安原 重雄3、竹内 和歌奈1 (1.愛知工大、2.名大院工、3.Japan advanced chemicals Ltd.)
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10:00 〜 10:15

[19a-A301-5]アモルファスMoSin挿入層によるMo/n-Si接合のショットキー障壁高さ低減

〇岡田 直也1、内田 紀行1、金山 敏彦1 (1.産総研)
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10:30 〜 10:45

[19a-A301-6]Si薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration (II)

〇佐々木 伸夫1,2、高山 智之2、笹井 陸杜2、浦岡 行治2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)
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10:45 〜 11:00

[19a-A301-7]Si薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration(Ⅲ)

〇笹井 陸杜1、佐々木 伸夫1,2、高山 智之1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)
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11:00 〜 11:15

[19a-A301-8]マイクロシェブロンレーザーによるGe薄膜の（001）単結晶帯無限成長

〇葉 文昌1、大里 卓司1 (1.島大総合理工)
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11:15 〜 11:30

[19a-A301-9]青色ダイレクトダイオードレーザを用いたスパッタ製膜a-Si膜の結晶化(その4)

〇岡田 竜弥1、野口 隆1、菱田 光起2、宮野 謙太郎2、小畑 直彦2、信岡 政樹2 (1.琉大工、2.パナソニックコネクト)
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11:30 〜 11:45

[19a-A301-10]エキシマレーザードーピングによる超高濃度p+n接合の形成

〇青木 蓮1、片山 慶太1、中村 大輔1、薮田 久人1、池上 浩1、佐道 泰造1 (1.九大システム情報)
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