[19a-A301-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 | 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-A301-1~10]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2023年9月19日(火) 9:00 〜 11:45

A301 (熊本城ホール)

岡田竜弥(琉球大)、呉研(東工大)

9:00 〜 9:15

[19a-A301-1][講演奨励賞受賞記念講演] 加熱その場高分解能TEMによる薄膜Si固相エピタキシャル成長の原子スケールリアルタイム観察

〇手面学¹、浅野孝典¹、高石理一郎¹、富田充裕¹、齋藤真澄¹、田中洋毅¹ (1.キオクシア㈱)

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[19a-A301-2]核発生制御による多結晶GeSn薄膜の低欠陥・高移動度化

〇前田真太郎¹、石山隆光¹、茂藤健太²、山本圭介²、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大院、2.九州大院)

9:30 〜 9:45

[19a-A301-3]基板に成膜したアモルファスGe薄膜への低エネルギー電子ビーム照射による爆発的結晶化

〇坂元響¹、仲村龍介¹、柳澤淳一¹、佐道泰造² (1.滋賀県大工、2.九州大工)

9:45 〜 10:00

[19a-A301-4]トリメチルアルミニウムとビニルシランを用いたp型a-SiC薄膜形成

〇土射津佑起¹、小野浩毅²、上原賢一³、安原重雄³、竹内和歌奈¹ (1.愛知工大、2.名大院工、3.Japan advanced chemicals Ltd.)

10:00 〜 10:15

[19a-A301-5]アモルファスMoSi_n挿入層によるMo/n-Si接合のショットキー障壁高さ低減

〇岡田直也¹、内田紀行¹、金山敏彦¹ (1.産総研)

10:30 〜 10:45

[19a-A301-6]Si薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration (II)

〇佐々木伸夫^1,2、高山智之²、笹井陸杜²、浦岡行治² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

10:45 〜 11:00

[19a-A301-7]Si薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration(Ⅲ)

〇笹井陸杜¹、佐々木伸夫^1,2、高山智之¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)

11:00 〜 11:15

[19a-A301-8]マイクロシェブロンレーザーによるGe薄膜の（001）単結晶帯無限成長

〇葉文昌¹、大里卓司¹ (1.島大総合理工)

11:15 〜 11:30

[19a-A301-9]青色ダイレクトダイオードレーザを用いたスパッタ製膜a-Si膜の結晶化(その4)

〇岡田竜弥¹、野口隆¹、菱田光起²、宮野謙太郎²、小畑直彦²、信岡政樹² (1.琉大工、2.パナソニックコネクト)

11:30 〜 11:45

[19a-A301-10]エキシマレーザードーピングによる超高濃度p⁺n接合の形成

〇青木蓮¹、片山慶太¹、中村大輔¹、薮田久人¹、池上浩¹、佐道泰造¹ (1.九大システム情報)

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