講演情報
[19a-A301-5]アモルファスMoSin挿入層によるMo/n-Si接合のショットキー障壁高さ低減
〇岡田 直也1、内田 紀行1、金山 敏彦1 (1.産総研)
キーワード：
コンタクト,Mo,シリサイド
アモルファスMoSinをSiとMo電極の接触界面に挿入することで、フェルミレベルピンニングを緩和でき、電子障壁高さを0.48 eVまで低減できる。さらに、MoSinの優れた熱的構造安定性により、SBH低減効果は700 ˚Cの熱処理後も維持される。従って、Mo/MoSinはn-FETのS/Dコンタクト材料として有用である。