2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-A302-1~10]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年9月19日(火) 9:00 〜 11:45
A302 (熊本城ホール)
尾沼 猛儀(工学院大)、 髙橋 崇典(奈良先端)
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9:00 〜 9:15奨励賞エントリー英語発表

[19a-A302-1]Electrical properties of single-crystal p-Cu2O/n-Ga2O3 heterojunction diodes

〇Yun Jia1, Sora Sato1, Aboulaye Traore1, Muhammad Monirul Islam1, Hironori Okumura1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[19a-A302-2](011)面方位HVPE β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの多結晶欠陥の断面STEM観察

〇(M1)大坪 優斗1、スダーン セイリープ1、佐々木 公平2、倉又 朗人2、嘉数 誠1 (1.佐賀大院工、2.（株）ノベルクリスタルテクノロジー)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[19a-A302-3]面内圧縮歪みを有するβ-(ScxGa1−x)2O3 薄膜のエピタキシャル成長

〇是石 和樹1、相馬 拓人1、大友 明1 (1.東工大物質理工)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[19a-A302-4]ホットウォール有機金属気相成長法による2インチ基板上高純度β-Ga2O3厚膜の高速成長

〇吉永 純也1、朴 冠錫1、池永 和正1,2、外里 遥2、奥山 貴仁2、後藤 健2、熊谷 義直2 (1.大陽日酸、2.東京農工大院工)
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10:00 〜 10:15英語発表

[19a-A302-5]Observation of the stacking fault associated with partial dislocations in edge-defined film-fed grown (001) β-Ga2O3 characterized by synchrotron X-ray topography

〇(D)Sayleap Sdoeung1, Yuto Ostubo1, Kohei Sasaki2, Chia-Hung Lin2, Akito Kuramata2, Makoto Kasu1 (1.Saga Univ., 2.Novel Crystal Technology, Inc.)
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10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[19a-A302-6]Geドープα-Ga2O3薄膜の電気伝導特性とショットキーバリアダイオードへの応用

〇若松 岳1、磯部 優貴1、高根 倫史1、金子 健太郎1,2、田中 勝久1 (1.京大院工、2.立命館大総研)
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10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[19a-A302-7]ミストCVDによるSiドープβ-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長

〇保坂 祥馬1、西中 浩之1、小川 典真1、三宅 裕樹2、吉本 昌広1 (1.京工繊大、2.ミライズ)
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11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[19a-A302-8]水溶液を用いた導電性Nb:TiO2薄膜の大気圧成膜

〇内藤 蓮人1、有賀 恵美1、牧内 楓1、簾 智仁2、中山 亮2、清水 亮太2、金子 健太郎3、佐藤 泰史4、一杉 太郎2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.東大院理、3.立命館大学、4.岡山理大学理)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[19a-A302-9]固相エピタキシーによるルチル型GeO2単結晶薄膜成長

〇長島 陽1、岡 大地2、廣瀬 靖2 (1.東大院理、2.都立大院理)
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11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[19a-A302-10]B+注入されたアモルファスInGaZnSnO膜の電子輸送特性

〇安田 圭佑1、山根 裕也1、宇井 利昌1、酒井 敏彦2、藤原 将喜2、東 大介2、安東 靖典2、立道 潤一1 (1.日新イオン機器、2.日新電機)
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