講演情報
[19a-A302-4]ホットウォール有機金属気相成長法による2インチ基板上高純度β-Ga2O3厚膜の高速成長
〇吉永 純也1、朴 冠錫1、池永 和正1,2、外里 遥2、奥山 貴仁2、後藤 健2、熊谷 義直2 (1.大陽日酸、2.東京農工大院工)
キーワード：
酸化ガリウム,結晶成長,有機金属気相成長
本講演では、MOVPE法によるβ-Ga2O3成長において、蒸気圧が高いTMGaを前駆体に用いた高純度厚膜の高速成長の検討結果を示す。TMGa供給量の増加と共に成長速度は線形に増加し、約14 μm/hの高速成長が達成された。また、成長条件の最適化により、TMGa由来の炭素不純物の取り込みが低減できることも明らかとなった。