[19a-A302-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[19a-A302-7] ミストCVDによるSiドープβ-Ga₂O₃薄膜のホモエピタキシャル成長

〇保坂 祥馬¹、西中 浩之¹、小川 典真¹、三宅 裕樹²、吉本 昌広¹ (1.京工繊大、2.ミライズ)

キーワード：

酸化ガリウム,ミストCVD

本研究ではミストCVDによってホモエピタキシャルβ-Ga₂O₃薄膜へのSiドープを行った。得られたサンプルは高い表面平坦性を示し、前駆体溶液中のSiドープ率の変化によって10¹⁸~10²⁰cm^-3オーダーのキャリア密度制御に成功した。また、特に10²⁰cm^-3を超える高キャリア密度において60cm²/Vs以上の高い移動度が得られ、ミストCVDにおける他のⅣ族ドーパントに対するSiドーパントの優位性を実証した。